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“IPW65R110CFD 65F6110 全新原厂原装元件 质量保证”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | RoHS SGS |
| 品牌： | 英飞凌 | 类型： | 增强型MOS管(N沟道) |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | 导电方式： | 增强型 |
| 型号： | Ipw65r110cfd | 规格： | 700V |
| 商标： | 英飞凌 | 包装： | 240PCS/盒 |
“IPW65R110CFD 65F6110 全新原厂原装元件 质量保证”详细介绍
场效应管IPW65R110CFD
IPW65R110CFD , N沟道 MOSFET 晶体管, 31.2 A, Vds=700 V, 3针 TO-247封装
- RS 库存编号826-8241P
- 制造商Infineon
- 制造商零件编号IPW65R110CFD
Infineon CoolMOS? C & E 系列功率 MOSFET
The Infineon range of CoolMOS? MOSFETs from the C and E series span over a range of product families such as the C6, C7, E6 and CFD2 series. They start from 600V up to 750V. They are highly efficient and can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS? 与 CoolMOS? 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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产品技术参数
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通道类型N
最大连续漏极电流31.2 A
最大漏源电压700 V
最大漏源电阻值0.11 Ω
最大栅阈值电压4.5V
最小栅阈值电压3.5V
最大栅源电压20 V
封装类型TO-247
安装类型通孔
引脚数目3
通道模式增强
类别功率晶体管
最大功率耗散277.8 W
配置单
最低工作温度-55 °C
高度21.1mm
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
长度16.13mm
尺寸16.13 x 5.21 x 21.1mm
宽度5.21mm
典型栅极电荷@Vgs118 nC@ 10 V
典型输入电容值@Vds3240 pF@ 100 V
典型关断延迟时间68 ns
典型接通延迟时间16 ns
